RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2354
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link