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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
13.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3061
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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