RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
51
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2819
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link