RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
49
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
25.6
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
25.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
20.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
4537
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link