RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
49
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2619
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link