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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
52
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
2740
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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