RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
3866
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link