RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
44
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2929
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link