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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
36
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3564
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
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