RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
47
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3086
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link