RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
47
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
20
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3632
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link