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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
25
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2600
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
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