RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
36
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2474
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link