RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
54
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.3
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2327
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link