RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
54
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2060
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link