RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
54
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3729
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link