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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
63
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
3649
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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