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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
51
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
2495
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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