RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
49
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2740
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link