RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3049
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link