RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
49
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
39
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3000
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link