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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
27
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
18
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
18.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3529
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Kingston KMKYF9-MIH 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
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