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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
99
Por volta de 58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
99
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1499
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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