RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
104
Por volta de -206% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2987
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link