RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
104
Por volta de -420% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3281
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link