RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
104
Por volta de -373% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
17.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
4116
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link