RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
104
Por volta de -271% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
16.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3562
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link