RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
104
Por volta de -395% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3126
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link