RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
75
Por volta de -178% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3399
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link