RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,574.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,858.9
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,574.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
607
3085
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link