RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
74
Por volta de -124% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3461
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link