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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
74
Por volta de -185% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2563
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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