RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
74
Por volta de -106% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2935
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link