RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
74
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2585
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link