RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
74
Por volta de -236% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3779
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link