RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
73
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
11.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2712
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link