RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
73
Por volta de -170% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
11.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2426
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link