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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
73
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3026
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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