RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
73
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
8.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2271
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link