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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
69
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
65
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
8.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
1921
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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