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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
69
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3713
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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