RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
69
Por volta de -283% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
18
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
17.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3668
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link