RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
69
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
15.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3803
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link