RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
69
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
65
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
1932
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link