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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
68
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
60
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
8.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
2129
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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