RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
68
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3460
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link