RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.9
13.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
13.0
18.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2987
4207
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link