RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
38
Por volta de -19% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2858
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link