RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3332
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link