RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
38
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
19
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2994
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link